在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)(Produce)的光刻曝光（exposure)工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅(silicon)片的熱膨脹(inflate)系數(shù)的差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度（temperature)上升1度，就引起了0。24um線性膨脹(inflate)，所以必須有±0。1度的恒溫，同時(shí)要求濕度值一般較低，因?yàn)槿顺龊挂院?，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉(Sodium)的半導(dǎo)體(semiconductor)車間，這種車間不宜超過25度。濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時(shí)，冷卻(cooling)水管壁上會結(jié)露，如果發(fā)生在精密(precise)裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時(shí)易生銹。
然而對于大部分凈化工程，為了防止外界污染侵入，需要保持內(nèi)部的壓力(靜壓)高于外部的壓力(靜壓)。實(shí)驗(yàn)臺框架一般采用C型方型鋼，可靠焊接，經(jīng)酸洗磷化、電泳后，實(shí)驗(yàn)臺表面經(jīng)環(huán)氧樹脂高壓靜電粉沫噴涂，高溫固化處理。具有良好的防腐性能，緊密強(qiáng)固，承重力強(qiáng)。實(shí)驗(yàn)室家具實(shí)驗(yàn)室儀器擺放的設(shè)計(jì)是一個(gè)實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)中的重點(diǎn)和難點(diǎn)之一。實(shí)驗(yàn)儀器的擺放看似簡單，可實(shí)際上需要考慮的因素非常多。實(shí)驗(yàn)儀器是否可以良好安全地運(yùn)行，是否可以妥善地得到保護(hù)，是否可以將環(huán)境對其的影響度降到最低，相互之間是否有影響，實(shí)驗(yàn)人員是否可以方便地使用等等問題，都是在考慮實(shí)驗(yàn)室儀器擺放位置的時(shí)候需要關(guān)注的問題。凈化工程對壓力差的維持一般應(yīng)符合以下原則：
1、潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。實(shí)驗(yàn)臺主要有全鋼結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺、鋼木結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺、鋁木結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺、全木結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺、PP結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺等種類，臺臺面一般采用環(huán)氧樹脂板、實(shí)芯理化板、陶瓷板、大理石板、千思板、不銹鋼板等，表面經(jīng)技術(shù)處理，光滑無毛孔，耐酸堿、防腐蝕，銑邊處理，臺面耐腐蝕、防水均達(dá)到實(shí)驗(yàn)室行業(yè)優(yōu)質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。
2、相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間。
3、凈化工程昂當(dāng)中潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。壓力差的維持依靠新風(fēng)量(定義:單位時(shí)間內(nèi)空氣的流通量)，這個(gè)新風(fēng)量要能補(bǔ)償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風(fēng)量。所以壓力差的物理意義就是漏泄(或滲透（Osmosis))風(fēng)量通過潔凈室的各種縫隙時(shí)的阻力。對于亂流潔凈室由于主要靠空氣的稀釋(dilute)作用來減輕室內(nèi)污染的程度，所以主要用換氣次數(shù)這一概念，而不直接用速度的概念，不過凈化工程對室內(nèi)氣流速度也有如下要求：
1、送風(fēng)口出口氣流速度不宜太大，和單純空調(diào)房間相比，要求速度衰減(attenuation)更快，擴(kuò)散角度（angle)更大。
2、吹過水平面的氣流速度(例如側(cè)送時(shí)回流速度)不宜太大，以免吹起表面微粒重返氣流，而造成凈化工程的再污染，這一速度一般不宜大干0。2m/s。
